平尚說其半導體二極管參數(shù)符號及其意義
CT---勢壘電容
Cj---結(極間)電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的變化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的工作電流(平均值),硅開關二極管在額定功率下允許通過的正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF(AV)---正向平均電流
IFM(IM)---正向峰值電流(正向電流)。在額定功率下,允許通過二極管的正向脈沖電流。發(fā)光二極管電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流(浪涌電流)
Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發(fā)射極與一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR(AV)---反向平均電流
IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流;硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流(反向浪涌電流)
Irp---反向恢復電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時,給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點電流
IOM---正向(整流)電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---穩(wěn)壓電流。在耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù);電容比
Q---優(yōu)值(品質因素)
δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT(AV)---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---開關功率
PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的功率
PMP---漏過脈沖功率
PMS---承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---輸出功率
Psc---連續(xù)輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的功率
RF(r)---正向微分電阻。在正向導通時,電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應增加△I,則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動態(tài)電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
a---溫度系數(shù)
λp---發(fā)光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---正向壓降(正向峰值電壓)
VF---正向壓降(正向直流電壓)
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓
VGT---門極觸發(fā)電壓
VGD---門極不觸發(fā)電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF(AV)---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
VRM---反向峰值電壓(測試電壓)
V(BR)---擊穿電壓
Vth---閥電壓(門限電壓)
VRRM---反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓)
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩(wěn)定電壓
△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓(信號電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av---電壓溫度系數(shù)
Vk---膝點電壓(穩(wěn)流二極管)
VL ---電壓
二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義
Cc---集電極電容
Ccb---集電極與基極間電容
Cce---發(fā)射極接地輸出電容
Ci---輸入電容
Cib---共基極輸入電容
Cie---共發(fā)射極輸入電容
Cies---共發(fā)射極短路輸入電容
Cieo---共發(fā)射極開路輸入電容
Cn---中和電容(外電路參數(shù))
Co---輸出電容
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中,集電極與基極間輸出電容
Coe---共發(fā)射極輸出電容
Coeo---共發(fā)射極開路輸出電容
Cre---共發(fā)射極反饋電容
Cic---集電結勢壘電容
CL---負載電容(外電路參數(shù))
Cp---并聯(lián)電容(外電路參數(shù))
BVcbo---發(fā)射極開路,集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路,CE結擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓
BVces---基極與發(fā)射極短路CE結擊穿電壓
BV cer---基極與發(fā)射極串接一電阻,CE結擊穿電壓
D---占空比
fT---特征頻率
fmax---振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率
hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)
hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導
h RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)