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由雙極型晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管等三端器件組成的光電器件。光在這類器件的有源區(qū)內(nèi)被吸取，孕育發(fā)生光生載流子，經(jīng)過(guò)外部電縮小機(jī)構(gòu)，孕育發(fā)生光電流增益。光晶體三極管三端事情，故輕易完成電控或電同步。光晶體三極管可分為兩類：雙極型光晶體管、場(chǎng)效應(yīng)光晶體管及其相干器件。 
　　雙極型光晶體管 　雙極型光晶體管從構(gòu)造上分為同質(zhì)型和異質(zhì)型兩種。圖為異質(zhì)結(jié)光晶體管能帶圖。光在基區(qū)-搜集區(qū)吸取，孕育發(fā)生的空穴（多子）在基區(qū)積聚,使發(fā)射結(jié)注入多電子以堅(jiān)持電中性而孕育發(fā)生增益。與同質(zhì)結(jié)型比擬有以下好處：①應(yīng)用寬帶發(fā)射區(qū)作為光學(xué)窗口大大進(jìn)步量子服從。②應(yīng)用寬帶發(fā)射區(qū)進(jìn)步注入服從，大大增長(zhǎng)縮小倍數(shù)β。關(guān)于短波長(zhǎng)（短于0.9微米），常用GaAs-GaAlAs體系，關(guān)于長(zhǎng)波長(zhǎng)（善于1.1微米），則應(yīng)用 InP-InGaAsP體系。關(guān)于后者，也可應(yīng)用反面光照。這些體系基區(qū)均應(yīng)用間接能隙半導(dǎo)體,光吸取率很高,故可做得較薄，大大收縮了基區(qū)渡越工夫。 

　　雙極型光晶體管平日增益很高，但速率不太快，關(guān)于GaAs-GaAlAs，β可大于1000，相應(yīng)工夫大于納秒（視增益巨細(xì)紛歧）。其增益帶寬積GB在小電流弱光照時(shí)受發(fā)射極和搜集極充電工夫常數(shù)限定；而在大電流或強(qiáng)光照時(shí)則根本上由基區(qū)渡越工夫和搜集極渡越工夫決議。普通，fT為晶體管停止頻率。當(dāng)應(yīng)用基區(qū)引線孕育發(fā)生恰當(dāng)偏流時(shí)，低落發(fā)射極充電工夫常數(shù)，并為基區(qū)積聚的光生載流子供應(yīng)通路，減小基區(qū)等效壽命而收縮相應(yīng)工夫。GaAs-GaAlAs光晶體管相應(yīng)工夫?yàn)?50皮秒或短。 
　　異質(zhì)結(jié)光晶體管噪聲決議于事情電流，小電流時(shí)噪聲較低。但小電流事情時(shí)發(fā)射極工夫常數(shù)增大，且空間電荷區(qū)復(fù)合流占主導(dǎo)身分，也形成增益低落（β反比于，I1-1/ne,n≈2）。為減小空間電荷區(qū)復(fù)合流,可用分子束內(nèi)涵發(fā)展法在靠發(fā)射結(jié)一端發(fā)展約300埃的寬帶基區(qū),并組成基區(qū)空間電荷區(qū)一局部，這便是“雙基區(qū)”構(gòu)造。 
　　異質(zhì)結(jié)光晶體管用于光探測(cè)器,其功能不劣于PIN光電二極管和場(chǎng)效應(yīng)復(fù)合體系，別的也可用于光縮小。 
　　光場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其相干光電器件 GaAs MESFET可用作高速光探測(cè)器(GaAs op FET),其相應(yīng)工夫?yàn)?0皮秒或短，增益可大于10（與事情前提有關(guān)）。它的缺陷是光敏面積小。GaAs op FET及其相干的N溝光電器件的光增益機(jī)構(gòu)有：①光異體機(jī)構(gòu)，增益即是電子速率與空穴速率之比；②轉(zhuǎn)移電子效應(yīng)機(jī)構(gòu)，其增益來(lái)自光生載流子在負(fù)遷徙率區(qū)的空間電荷縮小感化。與此相干另有很多其他立體型光電器件，其特性是速率快（相應(yīng)工夫幾十皮秒）、適于集成。這類器件可望在光電集成中失掉使用。

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