1、輸出特征
　　三極管的輸出特征曲線，它示意Ib隨Ube的變革干系，其特性是：1）當(dāng)Uce在0-2伏范疇內(nèi)，曲線和外形與Uce 有關(guān)，但當(dāng)Uce高于2伏后，曲線Uce根本有關(guān)平日輸出特征由兩條曲線（Ⅰ和Ⅱ）示意。
　　2）當(dāng)Ube＜UbeR時(shí)，Ib≈O稱（0～UbeR)的區(qū)段為“死區(qū)”當(dāng)Ube＞UbeR時(shí)，Ib隨Ube增長(zhǎng)而增長(zhǎng)，縮小時(shí)，三極管事情在較直線的區(qū)段。
　　3）三極管輸出電阻，界說為:
　　rbe=(△Ube/△Ib)Q點(diǎn)，其預(yù)算公式為：
　　rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）
　　rb為三極管的基區(qū)電阻，對(duì)低頻小功率管，rb約為300歐。
　　2、輸入特征
　　輸入特征示意Ic隨Uce的變革干系（以Ib為參數(shù)）特征可見，它分為三個(gè)地區(qū)：停止區(qū)、縮小區(qū)和飽和區(qū)。
　　停止區(qū) 當(dāng)Ube＜0時(shí)，則Ib≈0，發(fā)射區(qū)沒有電子注入基區(qū)，但因?yàn)榉肿拥臒峄顒?dòng)，集電集仍有小量電流暢過，即Ic=Iceo稱為穿透電流，常溫時(shí)Iceo約為幾微安，鍺管約為幾十微安至幾百微安，它與集電極反向電流Icbo的干系是：
　　Icbo=(1+β)Icbo
　　常溫時(shí)硅管的Icbo小于1微安，鍺管的Icbo約為10微安，關(guān)于鍺管，溫度每降低12℃，Icbo數(shù)值增長(zhǎng)一倍，而關(guān)于硅管溫度每降低8℃，Icbo數(shù)值增大一倍，固然硅管的Icbo隨溫度變革猛烈，但因?yàn)殒N管的Icbo值自身比硅管大，以是鍺管依然受溫度影響較緊張的管，縮小區(qū)，當(dāng)晶體三極管發(fā)射結(jié)處于正偏而集電結(jié)于反偏事情時(shí)，Ic隨Ib類似作線性變革，縮小區(qū)是三極管事情在縮小形態(tài)的地區(qū)。
　　飽和區(qū) 當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正偏形態(tài)時(shí)，Ic根本上不隨Ib而變革，得到了縮小功用。依據(jù)三極管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)偏置狀況，大概鑒別其事情形態(tài)。
　　三極管的輸出特征與輸入特征
　　停止區(qū)和飽和區(qū)是三極管事情在開關(guān)形態(tài)的地區(qū)，三極管和導(dǎo)通時(shí)，事情點(diǎn)落在飽和區(qū)，三極管停止時(shí)，事情點(diǎn)落在停止區(qū)。