肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）
是近年來間世的低功耗、大電流、高速半導體器件。其反向恢復時間短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。
結構原理
    肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的多屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中有少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度表面逐漸降輕工業部，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
 
（特基二極管）圖片由東莞市平尚電子科技有限公司提供。
     肖特基整流管用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢壘外側無過剩少數載流子的積累，因此，不存在電荷儲存問題（Qrr→0），使開關特性獲得時顯。其反向恢復時間已能縮短到10ns以內。但它的反向耐壓值較低，一般不過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流（或續流）電路的效率。