去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：
一、是本集成電路的蓄能電容；
二、旁路掉該器件的高頻噪聲。
      數字電路中典型的去耦電容值是 0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，對于 10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲不起作用。1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取 0.01μF。
       分布電容是指由非形態電容形成的一種分布參數。一般是指在印制板或其他形態的電路形式，在線與線之間、印制板的上下層之間形成的電容。這種電容的容量很小，但可能對電路形成的影響。在對印制板進行設計時要充分考慮這種影響，在工作頻率很高的時候。也成為寄生電容，制造時會產生，只是大小的問題。布高速PCB時，過孔可以減少板層電容，但會增加電感。