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　　MOS管為三端器件，適當連接這三個端，MOS管就變成兩端的有源電阻。這種電阻器主要原理是利用晶體管在偏置下的等效電阻。可以代替多晶硅或擴散電阻，以提供直流電壓降，或在小范圍內呈線性的小信號交流電阻。在大多數的情況下，獲得小信號電阻所需要的面積比直線性重要得多。一個MOS器件就是一個模擬電阻，與等價的多晶硅或跨三電阻相比，其尺寸要小得多。簡單地把n溝道或p溝道增強性MOS管的柵極接到漏極上就得到了類似MOS晶體管的有源電阻。對于n溝道器件，應該盡可能地把源極接到負的電源電壓上，這樣可以影響。同樣p溝道器件源極應該接到正的電源電壓上。但是在實際中，由于信號擺動的幅度很小，所以實際上這種電阻可以很好地工作。其中：K ′=μ0C0X。可以看出，如果VDS（VGS-VT），則ID與VDS之間關系為直線性（假定VGS與VDS無關，由此產生一個等效電阻 R=KL/W，K=1/［μ0C0X（VGS-VT）］，μ0為載流子的表面遷移率，C0X為柵溝電容密度;K值通常在1000～3000Ω/□。在VDS0.5（VGS-VT）時，近似情況是良好的。
　　在設計中有時要用到交流電阻，這時其直流電流應為零。有源電阻不能此條件，因為這時要求其阻值為大。顯然這是不可能的。這時可以利用MOS管的開關特性來實現。
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