1．ＰＮ結(jié)的形成 
（1）當(dāng)Ｐ型半導(dǎo)體和Ｎ型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時，由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ，這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散 。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴(kuò)散的結(jié)果就使Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)中原來的電中性條件破壞了。Ｐ區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動的負(fù)離子，Ｎ區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動的正離子。這些不能移動的帶電粒子通常稱為 空間電荷 ，它們集中在Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區(qū)，這就是我們所說的 ＰＮ結(jié) 。
　　（2）在這個區(qū)域內(nèi)，多數(shù)載流子已擴(kuò)散到對方并復(fù)合掉了，或者說消耗殆盡了，因此，空間電荷區(qū)又稱為 耗盡層 。 
　　（3）Ｐ區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)負(fù)電荷，Ｎ區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)正電荷，因此空間電荷區(qū)出現(xiàn)了方向由Ｎ區(qū)指向Ｐ區(qū)的電場，由于這個電場是載流子擴(kuò)散運動形成的，而不是外加電壓形成的，故稱為 內(nèi)電場 。 
　　（4）內(nèi)電場是由多子的擴(kuò)散運動引起的，伴隨著它的建立將帶來兩種影響：一是 內(nèi)電場將阻礙多子的擴(kuò)散 ，二是P區(qū)和N區(qū)的少子一旦靠近PN結(jié)，便在內(nèi)電場的作用下漂移到對方， 使空間電荷區(qū)變窄 。 
　　（5）因此， 擴(kuò)散運動使空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場增強(qiáng)，利于少子的漂移而不利于多子的擴(kuò)散；而漂移運動使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場減弱，利于多子的擴(kuò)散而不利于少子的漂移。 
　　 當(dāng)擴(kuò)散運動和漂移運動達(dá)到動態(tài)平衡時，交界面形成穩(wěn)定的空間電荷區(qū)，即 ＰＮ結(jié)處于動態(tài)平衡 s。 
2．ＰＮ結(jié)的單向?qū)щ娦?nbsp;
　　（1） 外加正向電壓 （正偏） 
　　 在外電場作用下，多子將向ＰＮ結(jié)移動，結(jié)果使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場被削弱，利于多子的擴(kuò)散而不利于少子的漂移，擴(kuò)散運動起主要作用。結(jié)果，Ｐ區(qū)的多子空穴將源源不斷的流向Ｎ區(qū)，而Ｎ區(qū)的多子自由電子亦不斷流向Ｐ區(qū)，這兩股載流子的流動就形成了ＰＮ結(jié)的正向電流。 
　　（2） 外加反向電壓 （反偏） 
　　 在外電場作用下，多子將背離ＰＮ結(jié)移動，結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬，內(nèi)電場被增強(qiáng)，利于少子的漂移而不利于多子的擴(kuò)散，漂移運動起主要作用。漂移運動產(chǎn)生的漂移電流的方向與正向電流相反，稱為反向電流。 因少子濃度很低，反向電流遠(yuǎn)小于正向電流 。 
　　 當(dāng)溫度時，少子濃度，反向電流不隨外加電壓而變化，故稱為 反向飽和電流 。 
3.二極管的基本應(yīng)用電路 
（1）限幅電路---利用二極管的單向?qū)щ娦院蛯?dǎo)通后兩端電壓基本不變的特點組成。           
（2）箝位電路---將輸出電壓箝位在數(shù)值上。        
　　 注：黑色---輸入信號，藍(lán)色---輸出信號，波形為用ＥＷＢ結(jié)果。
X7R性質(zhì)：
　　1. 介電常數(shù)可達(dá)到3000，容溫變化率小于15％，介電損耗小于3.5%；
　　2. 粉體粒徑250-300nm，燒成陶瓷晶粒尺寸300-400nm。
用途：
　　1. 此介質(zhì)材料為環(huán)保型粉料；
　　2. 適合于制備薄層大容量賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷電容器的生產(chǎn)：單層陶瓷膜片厚度5～10mm；層數(shù)從幾十到幾百層；電容量從 0.1 nF 到100 nF；
　　3. 由于瓷粉粒度小，分散性好，因此不需要再進(jìn)行劇烈的球磨，以免改變瓷料的晶粒性質(zhì)，使性能劣化。